一、產(chǎn)品優(yōu)勢：
1.控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。
2.氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司*的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì),提高操作便捷性。
3.中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強(qiáng)，耐沖擊分子泵.
防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。
二、注意點(diǎn)：
CVD石墨烯制備雙溫區(qū)滑軌式CVD系統(tǒng)爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
石英管的長時(shí)間使用溫度＜1100℃
對于樣品加熱的實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）。
石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）主要用于合成石墨烯薄膜和各種碳納米材料，有一個(gè)水平石英管式爐。一個(gè)催化劑襯底(通常是銅鋁箔)放置在爐里,甲烷氣體或乙炔氣體從外部低流量和低壓地注入，在催化劑的襯托上形成石墨烯薄膜。
快速冷卻對于形成高質(zhì)量的石墨烯薄膜非常重要，快速冷卻可以抑制碳過量的沉積在催化劑金屬箔上 (如銅或鎳箔)；系統(tǒng)配備了快速冷卻系統(tǒng)。管式爐向一側(cè)滑動30mm到反應(yīng)爐，加熱的爐可以遠(yuǎn)離樣品，從而快速冷卻樣品。通過非常簡單的方式達(dá)到快速冷卻的效果。
